GaN 트랜지스터 테스트를 간소화하는 GaN 시스템의 새로운 하프 브릿지 평가 보드 온라인 및 각 지역 공식 대리점을 통한 판매 중
 

질화 갈륨 파워 트랜지스터를  선두하는 GaN Systems 가  실제 전원 회로에서 GaN E-HEMT 모드 전력 반도체의 성능을 보여주는 새로운 하프 브릿지 평가 보드를 소개한다. 완벽하게 작동하는 GS66508T-EVBHB 평가 보드는 동기 부스트와 벅 변환 모드를 포함한 하프 브릿지 기반의 토폴로지뿐만 아니라 트랜지스터 파형을 평가하는 펄스 스위칭으로 손쉽게 구성된다. 신속한 시작 지침 가이드 및 YouTube 비디오 링크가 첨부되어 있는 평가 보드는 몇 분만에 설치하고 사용할 수 있다. 각 개발 제품 안에는 BOM 구성 요소 부품 번호, PCB 레이아웃 과  열 관리 및 게이트 드라이브 회로 참조 디자인을 포함하여 시스템 엔지니어가 해당 제품을 개발하는 데 도움이 되는 완벽한 설명서가 포함되어 있다.

전기 엔지니어가 완벽하게 작동하는 전원 상태를 제공하도록 디자인된 평가 보드는 두 개의 650 V, 30 A GS66508T GaN FET, 하프 브릿지 게이트 드라이버, 게이트 드라이버 전원 공급장치 및 히트  싱크로 구성 되어 있다. GS66508T 고전력 트랜지스터는 GaN Systems의 특허 기술 Island Technology®를 기반으로 하며 100V/nS 이상의 고속 스위칭 스피드 및 초저 열 손실을 갖는 매우 효율적인 파워 전환을 달성하는 고밀도 장치의 650V 제품군에 속한다.

GaN Systems는 전압 정격이 100 V와 650 V이고 전류 정격이 7 A ~ 250 A인 GaN 파워 트랜지스터의 포괄적인  포트폴리오를 개발하고 상용화한 유일한 회사이다. GaNPX™ 패키징의 매우 낮은 인덕턴스 및 열 효율과 결합된 GaN Systems의 특허 기술  Island Technology 다이 설계를 사용하는 GaN FET는 기존의 MOSFET 및 IGBT에 비해 스위칭과 전도 성능이 45배 개선된 것을 보여준다. 30 A/50 mΩ GS66508T GaN 파워 트랜지스터는 탑 사이드 방열 방식이며 니어 칩 스케일(near chip-scale), 열 효율적인 GaNPX 패키징으로 되어 있다. 1.5 kW에서 이 장치의 파워 전환 효율의 정격은 98.7%이며, 이 값은 테스트를 통해 직접 확인 하실 수 있다.

평가 보드는 출력 파워 인덕터 및 커패시터용 공간을 제공하므로 사용자는 보드를 원하는 부스트 또는 벅 작동 모드로 구성할 수 있다. 트랜지스터 접합 온도는 열전대 패드 및 열 카메라 이미징 포트 모두에서 제공된다. 파워 입력은 최대 15 V에서 9 VDC ~ 12 VDC여야 합니다. 온보드 전압 조절기는 논리 회로의 경우 +5 V를 생성하고 게이트 드라이버의 경우 +6.5 V를 생성한다. 평가 보드는 펄스 테스트 모드, 벅/표준 하프 브릿지 모드 및 부스트 모드 등 세 가지 모드로 작동한다.  사용자 가이드에 관한 모든 내용은 자사의 홈 페이지에서도 확인 하실 수 있다.

http://gansystems.com/evaluationboards/GS66508TEVBHB_UserGuide_rev2%20151020.pdf

신 개발품  GS66508T 고전류 하프 브릿지 평가 보드는 현제 GaN Systems의 전세계 유통망을 통해 편리하게 구입하실수 있다. 구입 가능한  지역 유통 업체는 자사 홈 페이지 Where to Buy 에서  공식 판내 대리점에 “GS66508T-EVBHB” 부품 번호로  문의 해 주십시오. 현지 통화로 구입 하시게 되며 개발 제품  판매 가격은 $299(USD)이다.