파나소닉 코퍼레이션(Panasonic Corporation)이 고내열 성능(유리 전이 온도) 210°C로 업계 최고 수준[1]을 자랑하고 탁월한 장기 안정성을 제공하는 전력소자용 반도체 캡슐화 재료를 개발했다고 오늘 발표했다. 파나소닉은 2015년 10월부터 신제품 CV8540 시리즈의 샘플 출하를 개시할 계획이다.
이 스마트 보도자료는 멀티미디어를 제공한다. 보도자료 전문은 아래 링크 참조.
http://www.businesswire.com/news/home/20151005005107/en/
시장에서는 에너지 소비 절감과 차내 장치 소형화 및 경량화에 대한 요구가 계속 높아져 왔다. 업계는 이에 대처하기 위해 실리콘 카바이드(SiC)나 질화갈륨(GaN) 계 전력 소자에 주목하고 있다. 하지만 전력 소자가 차량에 사용될 경우 탁월한 내열성 및 고전류 특성과 더불어 우수한 장기 안정성을 갖춰야만 한다.
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현재 널리 사용되고 있는 반도체 소자는 작동 시 온도가 125~150°C까지 작동하곤 한다. SiC와 GaN 소자는 높은 전류를 처리할 수 있어 이러한 고온 환경에서 작동할 수 있다. 심지어 200°C 이상으로 온도가 치솟는 경우에도 작동된다. 이 같은 장점을 최대한 활용하기 위해 전력 소자용 반도체 캡슐화 재료는 보다 앞선 열 내성과 장기 안정성을 요한다. 기존 캡슐화 재료는 고온 적용 시 리드프레임과 디바이스에서 박리된다는 단점이 있다. 파나소닉은 업계 최고 수준[1]의 내열성능과 개선된 재료 내 접착 성능을 구현했으며 이로써 우수한 장기 안정성의 반도체 캡슐화 재료를 개발, 상용화하는 데 성공했다.
이 캡슐화 재료의 장점은 다음과 같다.
1. 업계 최고의 내열성으로 발열 또는 고온 환경 내 전력 소자 사용에 기여
높은 내열성(캡슐화 재료의 유리 전이 온도): 최대 210°C(파나소닉 기존 제품[2]: 170~180°C)
2. 탁월한 장기 안정성으로 전력 소자 안정성 증진에 기여
다음과 같은 환경 저항 테스트에서 캡슐화 재료의 크랙 현상과 리드프레임과 전력 소자에서의 박리 현상이 나타나지 않았다.
· 히트 사이클 테스트: -40~200°C, 1,000 사이클
· 고온 방치 테스트: 200°C에서 3000시간 동안 방치
*1 SiC 또는 GaN 전력 소자용 반도체 캡슐화 재료 기준. 2015년 10월 1일 자체 연구
*2 파나소닉 기존 제품(CV4100 시리즈)
특성(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: http://goo.gl/FhjCaX)
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