‘팬서 레이크’ 출하 개시하며 새로운 상용화 준비 마일스톤 달성...인텔 18A 공정 일부 레이어 적용
ASML은 인텔 파운드리(Intel Foundry)가 자사의 High NA EUV(고개구수 극자외선) 노광 기술을 적용해 인텔® 코어™ 울트라 시리즈 3(코드명 팬서 레이크) 일부 제품의 대량 생산을 시작했다고 7월 15일 밝혔다.
업체 측에 따르면, 양사는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 시설에서 인텔 18A 공정의 일부 레이어에 대한 High NA EUV 장비 이중 검증(dual qualification)을 완료했으며, 기존 NXE 플랫폼과 동등한 수준의 수율을 확보해 고객사 대상 제품 출하를 시작했다.
이번 성과는 High NA EUV가 연구 단계를 넘어 실제 생산 환경에서 상용화 준비(Readiness) 단계에 진입했음을 보여주는 이정표라고 업체 측은 전했다.
High NA EUV는 ASML이 첨단 반도체 제조를 위해 개발한 차세대 극자외선(EUV) 노광 기술로, 기존 EUV보다 높은 해상도와 정밀한 패터닝을 지원한다.
ASML과 인텔은 수십 년간 리소그래피 기술 개발을 위해 협력해 왔으며, 이번 생산 적용을 통해 시스템 구성과 장비 가동률, 제조 공정 구현을 더욱 고도화할 수 있는 데이터를 확보했다고 밝혔다. 이를 기반으로 향후 High NA EUV 기술 적용 범위를 확대해 나갈 계획이다.
크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML 최고경영자(CEO)는 “High NA EUV는 더 높은 해상도와 향상된 공정 제어를 통해 반도체 리소그래피의 중요한 발전을 의미한다”며, “AI를 비롯한 차세대 기술 발전을 위한 더욱 미세하고 고밀도 패터닝 구현을 지원하게 돼 의미가 크다”고 말했다.
나가 찬드라세카란(Naga Chandrasekaran) 인텔 파운드리 수석부사장 겸 총괄은 “이번 성과는 인텔과 ASML의 긴밀한 기술 협력을 보여주는 사례이자 High NA EUV를 첨단 반도체 제조에 대규모로 적용할 수 있음을 입증한 것”이라며, “인텔 18A 공정 일부 레이어에 High NA EUV 공정을 적용함으로써 기존 장비의 생산성을 높이는 동시에 차세대 공정을 위한 기술 개발도 이어갈 계획”이라고 말했다.
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