HBM4 양산 이어 HBM4E 샘플 공급…1c D램·4나노 로직 다이 적용하며 성능·전력 효율·양산성 강화
삼성전자가 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이어 HBM4E 12단 샘플 공급을 시작하며 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 기술 경쟁력을 확대하고 있다.
이 회사는 차세대 AI 메모리 시장 공략을 위해 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다.
업체 측에 따르면, HBM4E는 차세대 AI 가속기용 메모리 제품으로, 설계 및 공정 최적화를 통해 성능과 전력 효율을 높인 것이 특징이다. 제품은 핀당 14Gbps의 속도로 안정적으로 동작하며 최대 16Gbps까지 지원한다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 대규모 언어모델(LLM)과 차세대 AI 시스템의 데이터 처리 성능을 높일 수 있다. 용량도 향상됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 구현했으며, 향후 고객 수요에 맞춰 32GB(8단)와 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.
이번 제품에는 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 삼성 파운드리 4나노 로직 다이가 적용됐다. 이를 통해 초미세 공정의 안정성과 양산성을 확보하는 동시에 성능 향상을 구현했다는 설명이다.
또한 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 고성능 AI 연산 환경에서 발열을 줄이고 안정적인 동작을 지원할 수 있도록 설계됐다.
삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급을 추진할 예정이다. 회사는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 통합 생산 체계를 기반으로 AI 메모리 수요 확대에 대응한다는 계획이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산에 이어 HBM4E 샘플 공급도 차질 없이 진행하고 있다”며, “차세대 AI 메모리 시장 수요에 대응하기 위해 기술 경쟁력과 생산 역량을 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.
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