흡수형 RF 스위치 4종 공개...5G·6G 대응 고격리·고선형 설계 적용
베렉스가 SOI RF 기술 기반의 5G 기지국 및 DAS(Distributed Antenna System)용 흡수형 RF 스위치 신제품 4종을 국내 최초로 공개했다고 밝혔다.
이번에 공개된 제품은 SP4T(Single-Pole, 4-Throw)와 SP5T(Single-Pole, 5-Throw) 구조의 RF 스위치인 △BSW6540 △BSW6543 △BSW6550 △BSW6553이다. 베렉스는 회로 설계와 반도체 공정 모두 국내 독자 기술로 개발했다고 설명했다.
신제품은 SOI(Silicon on Insulator) RF CMOS 공정 기술을 기반으로 설계됐으며, 5G 기지국과 DAS를 비롯한 다양한 무선통신 장비 시장을 겨냥한다. 특히 스위치 오프 시 내부적으로 50Ω 임피던스 정합이 이뤄지는 흡수형 구조를 적용해 기존 반사형 제품 대비 안정성을 높였다고 업체 측은 전했다.
제품은 최대 10GHz 대역까지 지원하며, 2.7~5.5V 전압 범위에서 동작한다. 또 5G 주요 주파수인 3.5GHz와 4.9GHz를 동시에 지원하며, 향후 6G 환경까지 대응 가능한 제품으로 설계됐다.
업체 측에 따르면, 베렉스는 고선형 설계 기술을 적용해 5G BTS 및 DAS 환경에 적합한 성능을 구현했다. 또한 일정한 임피던스 성능을 유지해 핫 스위칭 내구성을 높였으며, 위상 및 진폭 변화를 최소화해 PA와 ADC 등 민감한 장치 손상을 줄일 수 있다고 덧붙였다.
정전기 보호 회로(ESD) 설계 기술도 적용됐다. 제품별로 최대 ±1000V±2000V 수준의 정전기 보호 성능을 지원하며, -40℃125℃ 환경에서도 동작 가능해 아웃도어 시스템에 적합하다는 설명이다.
베렉스는 고주파 영역에서 높은 수준의 격리 성능을 구현했으며, 관련 기술은 특허 등록(10-1874525, 10-2034620, 10-2195772)을 완료했다고 밝혔다.
회사 측은 “현재 5G 무선통신 장비용 High Throw RF 스위치는 대부분 수입 제품에 의존하고 있다”며, “이번 제품 출시를 계기로 5G BTS 및 DAS 시장에서 국산화 확대가 기대된다”고 설명했다. 이어 "글로벌 무선통신 시장 진출과 RF 스위치 분야 수출 확대도 기대하고 있다"고 덧붙였다.
베렉스는 향후 고격리 특허 기술을 기반으로 SP6T, SP8T, SP12T 등 제품군까지 확대해 글로벌 RF 반도체 시장 경쟁력을 강화한다는 계획이다.
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