데이터센터·휴머노이드·양자컴퓨팅 등 신규 수요 확대… 고전압 양방향 스위치 기술 공개
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 발간하고, 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 기술의 시장 현황과 적용 분야, 향후 전망을 제시했다.
시장 분석에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2030년까지 약 30억 달러 규모로 성장할 것으로 예상된다. 2025년부터 양산 확대가 본격화되며, GaN은 기존 전력 변환 애플리케이션을 넘어 다양한 산업으로 빠르게 확산되고 있다. 시장 규모는 2026년 9억 2,000만 달러로, 2025년 5억8,400만 달러 대비 58% 성장할 전망이다.
인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼(Johannes Schoiswohl)은 “GaN은 이미 여러 산업 분야에서 상용 기술로 자리 잡고 있다”며, “인피니언은 제품에서 시스템으로(Product-to-System) 접근 방식과 선도적인 제조 역량, 폭넓은 GaN 포트폴리오를 기반으로 고객이 시장에서 성공하는 데 필요한 솔루션을 제공한다”고 말했다.
2026년에는 태양광 인버터와 전기차 온보드 충전기를 넘어 GaN 양방향 스위치(BDS)의 적용 사례가 확대될 것으로 예상된다. 인피니언의 고전압 GaN 양방향 스위치는 GIT(Gate Injection Transistor) 기술을 기반으로 더블 게이트 구조의 공통 드레인 설계를 적용했다.
이 구조는 하나의 드리프트 영역으로 양방향 전압 차단이 가능해 기존 백투백(back-to-back) 구성 대비 다이(die) 크기를 줄일 수 있다. 예를 들어 최대 1MHz로 동작하는 CoolGaN BDS를 적용한 태양광 마이크로인버터의 경우 동일 크기에서 출력이 40% 증가하며 시스템 비용 절감 효과도 기대된다고 회사 측은 설명했다.
GaN 기술은 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지뿐 아니라 디지털 헬스와 양자컴퓨팅 등 신흥 분야로도 적용 범위를 넓히고 있다. 데이터센터에서는 새로운 토폴로지를 적용한 GaN 기반 전원공급장치가 전력 손실을 최대 30%까지 줄이며 고효율·고밀도 설계를 가능하게 한다. 휴머노이드 로봇에 적용되는 GaN 기반 모터 드라이브는 크기를 최대 40% 줄이면서 제어 성능을 향상시킬 수 있다.
인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN 등 다양한 전력 반도체 포트폴리오를 기반으로 IDM(Integrated Device Manufacturing) 전략을 유지하고 있다. 또한 300mm GaN 웨이퍼 제조 역량을 바탕으로 고성능 전력 솔루션 개발을 확대하고 있다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
