스토니브룩대학교와 함께 800만 달러 투자, 첨단 소재 연구와 뉴욕 인력 개발 위해 투자 지원
 
온세미는 스토니브룩대학교(Stony Brook University)와 함께 800만 달러를 투자해 와이드 밴드갭 연구 센터를 설립한다고 발표했다.

이를 통해 온세미는 전력 반도체를 혁신적으로 발전시키고 이 분야의 차세대 전문 인력을 양성할 계획이다. 이번 투자는 스토니브룩대학교, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트(Empire State Development)와 맺은 2천만 달러 규모의 전략적 협력의 일환이다. 이는 미국 뉴욕을 전력 반도체 혁신의 국가적 허브로 자리매김하기 위함이다.



해당 센터는 실리콘 카바이드(SiC)를 포함한 와이드 밴드 갭 소재와 디바이스 구현 기술의 기초 연구를 발전시키는 것을 목표로 한다. 이러한 기술은 AI와 전기화의 에너지 효율 개선에 있어 필수 역량이다. 해당 시설은 2027년 초에 완전히 가동될 것으로 예상되며, 소재 개발, 디바이스 통합, 성능 특성화를 위한 전문 실험실과 첨단 기기를 갖출 예정이다.

온세미 기업 전략 담당 수석 부사장인 디네시 라마나선(Dinesh Ramanathan)은 "첨단 전력 반도체는 AI와 전기화의 광범위한 채택을 가능하게 하는 핵심이다. 새로운 센터는 이러한 글로벌 메가트렌드에서 가장 중요한 분야의 혁신을 가속하는 데 핵심적인 역할을 할 것이다. 호컬(Hochul) 뉴욕 주지사의 비전에 따라 온세미는 스토니브룩대학교, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트와의 강력한 파트너십을 통해 전력 반도체 분야의 차세대 혁신을 주도하고 지속 가능한 미래를 위한 길을 열어갈 숙련된 인재 파이프라인을 구축하고 있다"고 말했다. 

뉴욕 주지사인 캐시 호컬(Kathy Hochul)은 “스토니브룩대학교의 최첨단 연구 시설은 칩 산업을 재건하고, 국가 안보를 강화하며, 미국의 칩 수도로서 뉴욕의 위상을 공고히 하려는 사명의 다음 단계가 될 것이다. 최첨단 기술과 세계적 수준의 인재에 투자함으로써 롱 아일랜드(Long Island)와 뉴욕의 더욱 강력하고 탄력적인 미래를 구축해 나가고 있다”고 말했다. 

온세미 디네시 라마나선 수석 부사장 "전력 반도체 분야의 차세대 혁신을 주도하고 숙련된 인재 파이프라인 구축"

이 협력의 일환으로 스토니브룩대학교는 실리콘 카바이드와 와이드 밴드갭 반도체 분야에서 학부 부전공과 대학원 석사 학위, 자격증을 위한 교육과정을 개발하고 있다. 

스토니브룩대학교의 신임 총장인 안드레아 골드스미스(Andrea Goldsmith)는 “온세미, 스토니브룩, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트 간의 공공-민간 파트너십은 경제 발전과 국가 안보에 막대한 영향을 미친다. 기술 기업가이자 팹리스 반도체 스타트업의 설립자로서, 스토니브룩이 전력 반도체 업계를 선도하는 온세미와 주요 학술 파트너가 된 것을 매우 기쁘게 생각한다. 이번 파트너십을 통해 스토니브룩과 뉴욕주는 전력 반도체 기술 발전의 최전선에 서는 동시에, 학생들에게 고도의 기술과 수요가 많은 기술 분야에서 리더십 역할을 준비할 수 있는 실제 현장실습 연구와 실무 기회를 제공할 수 있게 됐다”고 설명했다.

엠파이어 스테이트 디벨롭먼트는 미국 내 반도체 역량과 인력 개발을 활성화하기 위한 뉴욕의 광범위한 전략의 일환이며, 이러한 노력을 지원하고 있다.

새로운 센터는 SiC 성장 분야의 선도적인 연구자 겸 스토니브룩대학교의 재료과학 및 화학 엔지니어링의 일원인 마이클 더들리(Michael Dudley) 교수가 이끈다. 또한, 동료 교수인 발라지 라고타마차르(Balaji Raghothamachar)와 딜립 거사페(Dilip Gersappe)도 함께 협력에 나선다.