인피니언, CoolSiC에 고전압 솔루션 추가하여 차세대 태양광 등 지원
  • 2022-05-19
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

고전력 밀도에 대한 요구가 커지면서 개발자들이 인버터 전력을 높이고 시스템 비용을 낮추기 위해서 애플리케이션에 1500VDC 링크를 도입하고 있다.

1500VDC 기반 시스템은 설계에 새로운 과제를 제기하는데, 높은 DC 전압에서 빠른 스위칭을 위해서는 멀티-레벨 토폴로지가 필요하다. 이것은 설계를 복잡하게 하고 비교적 많은 부품을 필요로 한다. 이러한 과제를 해결하기 위해 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 CoolSiC™ 포트폴리오에 고전압 솔루션을 추가하여 차세대 태양광, EV 충전, 에너지 저장 시스템을 지원한다고 밝혔다.
 


확장된 CoolSiC 포트폴리오는 최대 1500VDC 애플리케이션을 위한 2kV 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET과 2kV SiC 다이오드를 제공한다. 새로운 SiC MOSFET은 단일 디바이스에 낮은 스위칭 손실과 높은 블로킹 전압을 결합하여 1500VDC 시스템의 요구를 최적으로 충족한다.

새로운 2kV CoolSiC 기술은 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(on))을 특징으로 한다. 견고한 바디 다이오드는 하드 스위칭에 적합하다. 이 기술은 충분한 과전압 마진을 확보하도록 하며, 우주방사선(cosmic ray)으로 인한 FIT가 1700V SiC MOSFET에 비해서 10배 더 우수하다. 확장된 게이트 전압 동작 범위는 디바이스의 사용 편의성을 높인다.

새로운 SiC MOSFET 칩은 M1H라고 하는 인피니언의 첨단 SiC MOSFET 기술을 기반으로 한다. 최신 기술은 훨씬 더 넓은 게이트 전압 범위를 가능하게 하여 주어진 칩 크기에서 온 저항을 향상시킨다. 더 넓은 게이트 전압 범위는 게이트 상에서 드라이버 및 레이아웃 관련 전압 피크에 대한 견고성을 높이고 높은 스위칭 주파수에서도 무리 없이 동작하도록 한다. 인피니언은 2kV SiC MOSFET을 지원하기 위해서 최대 2.3kV의 기능적 절연을 제공하는 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버를 제공한다.

2kV CoolSiC MOSFET 샘플이 현재 EasyPACK™ 3B와 62mm 모듈로 제공되고 있으며, 새로운 고전압 디스크리트 TO247-PLUS 패키지로도 제공될 예정이다. 또한 2.3kV 절연 가능 EiceDRIVER를 포함한 평가 보드도 제공된다.

4개 부스트 회로를 포함하고 1500V PV 스트링 인버터의 MPPT 스테이지로 사용하기에 적합한 전력 모듈 Easy 3B(DF4-19MR20W3M1HF_B11)는 2022년 3분기, 하프 브리지 구성의 62mm 모듈(3mΩ, 4mΩ, 6mΩ)은 2022년 4분기에 양산을 시작한다. .XT 인터커넥션 기술을 적용한 디스크리트 제품은 2022년 연말에 공급될 예정이다. 

 

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