[베스트 전력반도체] 인피니언 “ 우리는 Si, SiC, IGBT, GaN 디바이스 모두 제공하는 유일한 회사”
  • 2022-05-09
  • 신윤오 기자, yoshin@elec4.co.kr

2020년 디스크리트 전력반도체 및 모듈 시장에서 시장점유율 1위 차지

전세계 에너지 수요는 계속해서 증가하고 있으며, 이에 따라서 효율적인 전력 반도체가 요구된다. 전력을 생산 하고, 전송하고, 소비하는 모든 곳에 전력 반도체가 사용 되며, 전력 반도체를 사용하여 디바이스, 기계, 시스템을 최대한 효율적으로 제어할 수 있다.

시장 조사 기관인 Omdia가 발표한 자료에 따르면, 2020년 209억 달러 규모의 디스크리트 전력 반도체및 모듈 시장에서 인피니언 테크놀로지스는 19.7퍼센 트의 시장점유율로 세계 1위를 차지하였다.
 
이승수 대표이사, 인피니언 테크놀로지스 코리아


에너지 효율에 대한 요구가 갈수록 엄격해지기 때문에 와이드 밴드갭 반도체 같은 새로운 소재를 사용해야 한다. 와이드 밴드갭 반도체로 전력 효율을 높이고, 크기와 무게를 줄이고, 전반적인 비용을 낮출 수 있다. 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), IGBT, 갈륨 나이트 (GaN) 디바이스를 모두 제공하는 유일한 회사로 다양한 분야의 고객들이 인피니언 제품을 선택하고 있다.

와이드 밴드갭 반도체로 전력 효율 높여

실리콘 카바이드(SiC)는 3eV(electronvolt)의 와이드 밴드갭을 가지며, 실리콘에 비해서 열 전도율이 훨씬 높다. SiC 기반 MOSFET은 높은 항복 전압으로 높은 주파수로 동작하는 고전력 애플리케이션에 적합하다. 실리콘과 비교하면, RDS(on) 같은 디바이스 파라미 터가 온도에 따라 덜 변하며, 따라서 디자이너가 더엄격한 마진으로 설계할 수 있어, 추가적인 성능 향상을 얻을 수 있다. 검증된 고품질 양산 기술로 생산되는 인피니언의 CoolSiC™ 솔루션은 혁신 기술과 뛰어난 신뢰성을 결합하였다.

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC는 초고속 스위칭 CoolSiC™ SiC MOSFET 같은 SiC MOSFET 구동에 적합하다. GaN 은 SiC보다도 밴드갭이 더 넓고(3.4eV) 전자 이동도가 훨씬 높으며, 실리콘(Si)과 비교해서는 항복 전계가 10 배 더 높고 전자 이동도는 두 배이다. 출력 전하와 게이트 전하가 Si보다 10배 낮고, 역 복구 전하가 거의 0이며, 이 점은 고주파 동작을 위해서 중요하다.


 Best Product 3 

1. EV 트랙션 인버터 위한 자동차용 SiC 6팩 전력 모듈
HybridPACK™ Drive CoolSiC™

 
CoolSiC™ MOSFET 기술을 채택한 자동차용 전력 모듈인 1200V 풀-브리지 모듈 HybridPACK™ Drive CoolSiC™은 전기차 (EV) 트랙션 인버터에 최적화되었다.

이 전력 모듈은 자동차용 CoolSiC 트렌치 MOSFET 기술을 기반으로 하여 높은 전력 밀도와 높은 성능을 요구하는 애플리케이션에 적합하다. 특히 800V 배터리 시스템이나 더 큰 높은 배터리 용량의 자동차의 경우 더 높은 인버터 효율을 달성하여 주행 거리를 늘리고 배터리 비용을 낮출 수 있도록 한다. HybridPACK Drive는 인피니언의 실리콘 EDT2 기술을 사용해서 2017년에 처음 출시되었으며, 실제 주행에서 최대의 효율을 달성하도록 최적화되었다.


2. 통신용 전원 애플리케이션에 최대의 효율과 신뢰성을 제공
인피니언의 CoolGaN™ 디바이스




인피니언의 CoolGaN™ 제품은 통신용 전원장치 시스템에 최대의 효율과 신뢰성을 제공한다. 인피니언의 GaN 디바이스는 JEDEC 표준을 충족하고, 15년 이상의 수명을 제공하며, 산업용 통신 및 서버 SMPS에 적합하다.

DFN8x8 패키지의 CoolGaN 600V e-모드 HEMT는 델타 (Delta)의 DPR 3000E EnergE 정류기의 핵심 부품으로, 98퍼센트의 업계 최고의 에너지 효율을 가능하게 한다. 이제 델타의 정류기는 세계 주요 통신사들의 5G 통신 네트워크를 강력하게 지원할 수 있게 되었다. 인피니언의 CoolGaN 제품군은 산업용 애플리케이션뿐만 아니라, 어댑터, 충전기, 무선 충전, Class-D 오디오 증폭기 등 컨슈머 애플리케이션에도 적합하다.


3. CoolGaN 쇼트키 게이트 HEMT의 성능 향상을 위해 설계돼
인피니언 EiceDRIVER™, GaN SG HEMT의 성능 향상
인피니언의 EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V 단일 채널 게이트 드라이버 IC 제품군은 CoolGaN™ 쇼트키 게이트(SG) HEMT의 성능 향상을 위해 설계되었으며, 다른 GaN HEMT 및 실리콘 MOSFET과도 호환된다.

이들 게이트 드라이버는 DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 텔레콤, 서버, 로봇, 드론, 전동 공구, Class-D 오디오 증폭기 같은 다양한 애플리케이션에 적합하다.

1EDN71x6G 시리즈는 선택 가능한 풀업 및 풀다운 구동 능력 조절이 제공되므로 게이트 저항 없이 파형과 스위칭 속도를 최적화할 수 있다. 따라서 더 적은 BOM 부품으로 전력 스테이지 레이아웃을 소형화할 수 있다.

<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>

본 기사의 전문은 PDF문서로 제공합니다. (로그인필요)
다운로드한 PDF문서를 웹사이트, 카페, 블로그등을 통해 재배포하는 것을 금합니다. (비상업적 용도 포함)
 PDF 원문보기

#반도체   #부품   #자동차  

  •  홈페이지 보기
  •  유투브 보기
  • 100자평 쓰기
  • 로그인

TOP