높은 신뢰성과 효율성 제공하는 기술 혁신 거듭해와
“세계적인 반도체 업체 텍사스 인스트루먼트는 산업용, 차량용, 개인용 전자기기, 통신 장비및 엔터프라이즈 부문의 아날로그 IC 및 임베디드 프로세서를 설계·제조·시험·판매하고 있다. 수십년 동안 TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품을 만들어서 더 나은 세상을 만들고자 하는 기술적 진보 정신에 준해 모든 전자기기에 반도체가 적용될 수 있도록 보다 높은 신뢰성과 효율성을 제공하는 기술 혁신을 거듭해왔다.”
박중서 대표, TI 코리아
텍사스 인스트루먼트(TI)가 텍사스주 리처드슨에 위치한 자사의 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(또는 ‘팹’)인 RFAB2가
LEED(Leadership in Energy and Environmental Design) 건축물 인증 제도 버전 4(v4)에 따라 상위 등급인 골드(Gold) 등급 인증을 획득했다고 발표했다.
LEED 인증은 미국 그린빌딩협회(USGBC)에서 엄격한 심사를 통해 고성능 친환경 건물의 지속가능한 설계와 건설 및 운영을 종
합적으로 평가해 부여한다. TI의 RFAB2는 미국에서 첫 번째로, 세계에서는 네 번째로 LEED 골드 등급을 획득한 팹이 되었다.
이에 앞서 TI는 유타주 리하이에 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조공장(팹, Fab) 건설 계획을 발표했다. 새로운 팹은 리하이
에 위치한 TI의 기존 300mm 반도체 웨이퍼 팹인 LFAB 옆에 위치할 예정이며, 완공 후 두 팹은 하나의 팹으로 통합되어 운영될
예정이다.
새로운 팹은 2023년 하반기에 착공하여 이르면 2026년에 생산을 시작할 수 있을 것으로 예상되며, 건설 비용은 TI가 이전에 발표한 제조 역량 확장을 위한 자본 지출 계획에 포함되어 있다. 리하이의 두 번째 팹은 TI의 기존 300mm 팹인 텍사스주 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리차드슨에 위치한 RFAB1과 RFAB2, 유타주 리하이의 첫 번째 팹인 LFAB을 보완하는 역할을 하게 된다. 한편, TI는 텍사스주 셔먼에도 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹을 건설하고 있다.
2023 Best Product
1. UCC5880-Q1 강화 절연 게이트 드라이버
SiC 게이트 드라이버로 전기차 주행거리 극대화 지원
TI의 SiC 게이트 드라이버는 엔지니어들이 보다 효율적인 트랙션 인버터를 설계하고 전기차의 주행거리를 극대화할 수 있도록 고도로 통합되고 기능 안전 표준을 준수한다.
새로운 UCC5880-Q1 강화 절연 게이트 드라이버는 전기차 파워트레인 엔지니어들이 시스템 설계의 복잡성과 비용은 절 감하면서도 전력 밀도를 높이고 안전과 성능에 대한 목표를 달성할 수 있도록 다양한 기능을 제공한다.
전기차의 인기가 높아짐에 따라 트랙션 인버터 시스템 반도체의 혁신은 전기차 보급을 앞당기는 데 도움을 주고 있다. 차량 제조업체는 실시간 가변 게이트 드라이브 강도, SPI(직렬 주변기기 인터페이스), 첨단 SiC 모니터링 및 보호 그리고 기능 안전에 대한 통합 진단을 제공하는 UCC5880-Q1을 통해 더 안전하고, 효율적이며, 신뢰할 수 있는 SiC와 IGBT(절 연 게이트 양극 트랜지스터) 트랙션 인버터를 설계할 수 있다.
설계의 복잡성과 비용은 줄이고
게이트 구동 강도를 실시간으로 20A에서 5A 사이의 단계에서 변경함으로써 설계자는 UCC5880-Q1 게이트 드라이버로 SiC 스위칭 전력 손실을 최소화하여 시스템 효율성을 최대 2%까지 개선할 수 있다. 이와 함께, 배 터리 1회 충전당 최대 7마일(약 11km) 이상의 전기차 주행 거리를 확보할 수 있다. 이는 일주일에 3회 충전하는 전기차 기준으로 연간 1,000마일(약 1,600km) 이상의 추가 주행거리를 확보할 수 있다는 것을 의미한다.
또한 UCC5880-Q1의 SPI 프로그래밍 기능과 통합 모니터링 및 보호 기능은 설계의 복잡성은 물론 외부 부품 비용을 절감할 수 있다. 엔지니어는 SiC 전기차 트 랙션 인버터 레퍼런스 디자인을 사용하여 부품 수를 줄이고 효율적인 트랙션 인버터 시스템을 신속하게 시제품화 할 수 있다. 맞춤형이 가능하고 테스트 설계 를 마친 레퍼런스 디자인은 UCC5880-Q1, 바이어스 공급 전원 모듈, 실시간 제어 MCU 및 고정밀 감지 기능을 포함한다.
2. 새로운 옵토에뮬레이터 포트폴리오
고전압 애플리케이션의 수명 40년 이상 연장
새로운 옵토에뮬레이터 포트폴리오는 산업용 및 차량용 고전압 애플리케이션의 신호 무결성, 전력 소비 및 수명을 연장해 주는 신호 절연 반도체로 구성된 제품이다.
TI의 첫 옵토커플러 제품군은 업계에서 가장 일반적으로 사용되는 옵토커플러와 핀투핀으로 호환 가능하여 이산화규소 (SiO₂) 기반 절연 기술의 고유한 이점을 활용하면서도 기존 설계에 원활하게 통합할 수 있다.
LED를 통합하여 신호를 절연하는 옵토커플러는 이미 오래전부터 엔지니어들이 보편적으로 고려해왔던 선택사항이다. 하 지만 옵토커플러는 LED의 불가피한 노후화를 보완하기 위해 선제적인 과잉설계가 필요하다.
SiO₂ 기반 절연으로 신뢰성 향상
TI의 옵토에뮬레이터는 절연 장벽에 SiO₂를 사용하여 이러한 과잉설계의 필요성을 없애고, LED의 노후화 또한 방지할 수 있다. 새로운 디바이스 포트폴리오는 500VRMS/μm의 높은 유전체 강도를 가진 TI의 SiO₂ 절연 장벽을 통해 최종 제품 설 계를 40년 이상 보호할 수 있으며, 최대 3,750VRMS의 절연 보호 기능을 제공하면서 전력 소모를 최대 80%까지 줄여준다. 또, -55°C에서 125°C에 이르는 넓은 범위의 동작 온도를 견딜 수 있으며 옵토커플러보다 최대 10배 높은 공통 모드 과도 내성을 제공한다.
3. 새로운 Arm® Cortex®-M0+ MCU 포트폴리오
더욱 합리적인 가격에 임베디드 시스템 구현해
새로운 Arm Cortex®-M0+마이크로컨트롤러(MCU) 포트폴리오는 광범위한 컴퓨팅, 핀 아웃, 메모리 및 통합 아날로그 옵션을 제공하는 확장 가능하다.
MSPM0 MCU 포트폴리오는 직관적인 소프트웨어와 설계 툴을 지원하는 새로운m 수십 개의 MCU를 통해 설 계 시간을 수 개월에서 단 며칠로 단축하여 설계자들이 평가 및 코딩하는 데 들이는 시간을 줄여 혁신하는 데 더 많은 시간을 투자할수 있도록 돕는다.
설계 엔지니어들은 연산 가속화를 탑재한 32MHz부터 80MHz에 이르는 광범위한 컴퓨팅 옵션과 다양한 구성의 통합 아날로그 신 호 체인 구성 요소 중에서 필요에 따라 선택할 수 있다. 여기엔 업계 최초로 제로 드리프트 연산 증폭기가 적용된 MCU 및 정밀한 12비트, 4MSPS 아날로그-디지털 컨버터가 포함된다. 이러한 유연성을 기반으로 설계 엔지니어는 하나의 MCU 포트폴리오 내에 서 현재 설계의 요구 사항을 충족하는 동시에 미래 설계를 계획할 수 있다.
TI는 MSPM0 포트폴리오를 업계에서 가장 포괄적인 Arm Cortex-M0+ MCU 제품군으로 만들어 나가고 있으며, 올해 100가지 이 상의 MCU 제품을 출시할 계획이다.
설계 시간을 단축하고 빠르게 실행 가능
MSPM0 MCU는 개발된 디바이스 구성을 간소화하는 그래픽 도구 및 소프트웨어, 설계 지원 리소스, 코딩 툴을 제공하여 설계 엔 지니어가 한 번 코딩한 내용을 다른 MSPM0 기반 설계로 확장할 수 있도록 지원해 수 개월의 설계 시간을 절약할 수 있게 돕는다.
설계 엔지니어는 MSPM0 소프트웨어 개발 키트(SDK)를 사용하여 시스템 성능과 메모리 활용도를 향상시킬 수 있다. 이 소프트웨 어 개발 키트는 다양한 드라이버, 라이브러리, 200개 이상의 사용하기 쉬운 코드 예제 및 하위 시스템 레퍼런스 디자인 등 포괄적 인 경험을 제공한다.
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