인피니언이 5세대 1200 V thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드를 출시하며 광범위한 SiC 포트폴리오를 확장했다. 새로 출시된 1200 V SiC 다이오드는 동작 온도에서도 매우 낮은 순방향 전압 특성을 가지며 100% 이상 향상된 서지 전류 성능, 탁월한 열 특성을 제공한다.
이 특성은 태양광 인버터와 무정전 전원 장치(UPS), 3상 SMPS(Switch Mode Power Supplies) 및 모터 드라이브에서 효율을 크게 향상하고 견고한 동작을 구현한다.
‘5세대’ SiC 다이오드는 쇼트키 셀 필드에서 pn 접합 일체형 구조에 구현된 새로운 초소형 칩 설계를 사용한다. 이 초소형 칩 설계는 칩 영역당 차동 저항을 줄여준다. 그 결과 예를 들어 최대 부하 조건에서 20 kHz로 동작하는 3상 태양광 인버터의 프런트엔드 부스트 스테이지에서 이전 세대보다 최대 30% 다이오드 손실을 줄일 수 있다.
특히 ‘5세대’ SiC 다이오드는 150 °C의 접합부 온도에서 일반 순방향 전압이 단 1.7 V로, 이전 세대 대비 30% 더 낮아졌다. 이는 1200 V SiC 다이오드로는 업계에서 가장 낮은 순방향 전압을 나타낸다. 따라서 새로운 SiC 다이오드는 UPS 시스템과 같은 비교적 높은 부하에서 동작하는 애플리케이션에 적합하다. 그뿐만 아니라 낮은 스위칭 주파수에서도 시스템 효율이 향상된다.
서지 전류 성능은 다이오드 암페어 정격에 따라 현재 정격 전류의 최대 14배 정격을 가져 애플리케이션 서지 전류 발생 시 견고한 다이오드 동작을 보장한다. 따라서 바이패스 다이오드를 사용할 필요가 없어 복잡성과 시스템 비용을 줄일 수 있다. 한편 5세대 SiC 다이오드의 완벽한 포트폴리오는 TO-247, TO-220 및 DPAK 패키지를 포함한다.
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