5세대 1200V thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드,  단상 및 3상 애플리케이션에 고효율과 신뢰성 제공 

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 5세대 1200V thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드를 출시하면서 광범위한 SiC 포트폴리오를 확장했다. 새로 출시된 1200V SiC 다이오드는 동작 온도에서도 매우 낮은 순방향 전압 특성을 가지며 100% 이상 향상된 서지 전류 성능, 탁월한 열 특성을 제공한다. 이러한 특성은 태양광 인버터, 무정전 전원 장치(UPS), 3상 SMPS(Switch Mode Power Supplies) 및 모터 드라이브에서 효율을 크게 향상시키고 견고한 동작을 구현한다.

"5세대" SiC 다이오드는 쇼트키 셀 필드에서 pn 접합 일체형 구조에 의해 구현된 새로운 초소형 칩 설계를 사용한다. 이 초소형 칩 설계는 칩 영역당 차동 저항을 줄여준다. 그 결과 예를 들어 최대 부하 조건에서 20kHz로 동작하는 3상 태양광 인버터의 프런트엔드 부스트 스테이지에서 이전 세대에 비해 최대 30% 다이오드 손실을 줄일 수 있다. 

150°C의 접합부 온도에서 일반 순방향 전압은 단 1.7V로, 이전 세대 대비 30% 더 낮아졌다. 이는 1200V SiC 다이오드로는 업계에서 가장 낮은 순방향 전압을 나타낸다. 따라서 새로운 SiC 다이오드는 특히 UPS 시스템과 같은 비교적 높은 부하에서 동작하는 애플리케이션에 적합하다. 뿐만 아니라 낮은 스위칭 주파수에서도 시스템 효율이 향상된다.

다이오드 암페어 정격에 따라 현재 정격 전류의 최대 14배 정격을 갖는 서지 전류 성능은 애플리케이션 서지 전류 발생 시 견고한 다이오드 동작을 보장한다. 따라서 바이패스 다이오드를 사용할 필요가 없어 복잡성과 시스템 비용을 줄일 수 있다.

인피니언 테크놀로지스의 IGBT 전력 디스크리트 담당 마케팅 이사인 롤랜드 스틸(Roland Stele)씨는 "새로 출시된 5세대 SiC 다이오드는 고객들이 최고 효율을 달성하는 설계를 할 수 있도록 지원한다. 낮은 다이오드 손실과 향상된 서지 전류 성능으로 신뢰성을 높이고 넓은 범위의 스위칭 주파수를 지원할 수 있다"고 하면서 "최신 세대의 인피니언 SiC 쇼트키 다이오드는 전망이 밝은 SiC 재료의 잠재적 가능성을 최대한 끌어냈다는 점에서 큰 진전을 이룬 제품"이라고 말했다.

새로운 1200V thinQ! SiC 쇼트키 다이오드는 인피니언의 1200V Highspeed3 IGBT와 함께 부스트 및 PFC(Power Factor Correction) 부스트 토폴로지로 구현할 경우 시스템 수준에서 많은 이점을 제공한다. 기존 Si 다이오드를 사용하는 솔루션에 비해 다이오드 손실을 줄일 수 있을 뿐 아니라 턴-온 손실 감소로 히트싱크 크기를 줄이거나 향상을 높일 수 있고 낮은 EMI로 더 작고 비용 효율적인 EMI 필터를 사용할 수 있는 등 Highspeed3 IGBT의 성능이 향상된다.

공급

5세대 SiC 다이오드의 완벽한 포트폴리오는 TO-247, TO-220 및 DPAK 패키지를 포함한다. 이 밖에 새로운 업계 최고 40A 다이오드가 TO-247 패키지뿐 아니라 인터리빙 토폴로지로 공간을 더욱 절감할 수 있는 공통 캐소드의 듀얼 구성으로 제공된다. TO-247 패키지 샘플이 현재 공급 중이며 2014년 7월에 양산이 시작될 예정이다. 기타 다른 패키지 버전은 2015년에 출시될 예정이다. 5세대 1200V thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드에 대한 자세한 내용은 웹사이트(www.infineon.com/sicdiodes1200V)에서 확인할 수 있다.