2,000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트 거친 드라이버 및 보호 기능 통합
고전압 GaN FET로 산업용 및 통신 애플리케이션에서 전력 밀도 두 배 높여
TI는 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ 및 70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다고 밝혔다.
개발자는 LMG341x 제품군을 사용하여 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생 에너지, 그리드 인프라, 통신 및 개인용 전자제품 애플리케이션에서 실리콘 FET(field-effect transistors)보다 더 작고 효율적이며, 고성능의 설계가 가능하다.
.jpg)
TI의 GaN FET 디바이스 제품군은 고유 기능과 보호 기능을 통합하여 고전압 전원 공급 장치 설계를 간소화하면서 시스템 신뢰성을 높이고 성능을 최적화함으로써 기존의 캐스케이드 및 독립형 GaN FET에 대한 지능적인 대안을 제공한다.
이들 제품은 100ns 미만의 전류 제한 및 과열 감지 기능을 통합하고 있어 의도하지 않은 슛스루 현상으로부터 디바이스를 보호하고 열 폭주를 방지하며, 시스템 인터페이스 신호로 자체 모니터링 기능을 수행한다.
TI의 통합 GaN 전력단은 실리콘 MOSFET(metal-oxide semiconductor field-effect transistors)에 비해 전력 밀도를 두 배 증가시키고, 손실은 80% 감소시킨다. 각 디바이스는 고속 1MHz 스위칭 주파수 및 최대 100V/ns 슬루율을 지원한다.
이 포트폴리오는 가속 테스트 및 애플리케이션 내 하드 스위치 테스트를 포함해 2,000만 시간 디바이스 신뢰성 테스트를 거쳐 검증된다. 또한 각 디바이스는 슛스루 및 단락 회로 조건에 대한 열 및 고속, 100ns 과전류 보호 기능을 통합하고 있다.
모든 전력 레벨에 적합한 디바이스: 포트폴리오의 각 디바이스는 50mΩ 또는 70mΩ의 GaN FET, 드라이버 및 보호 기능을 통합하여 100W미만에서 10kW의 애플리케이션을 위한 단일 칩 솔루션을 제공한다.
이들 제품은 8mm x 8mm 분할 패드, QFN(quad flat no-lead) 패키지로 제공되며, 현재 TI store에서 구입할 수 있다. LMG3410R050, LMG3410R070 및 LMG3411R070의 가격은 1,000개 수량 기준으로 각각 18.69달러, 16.45달러 및 16.45달러이다.
<저작권자(c)스마트앤컴퍼니. 무단전재-재배포금지>
