ASML “올해 EUV 장비는 20대 이상 출하할 것”

2018-05-23
김영명 기자

반도체전자재료 기술 컨퍼런스 SMC에서 밝혀
현재 시간당 125개 웨이퍼 생산, 장비 신뢰성 크게 늘어나

반도체전자재료 기술 컨퍼런스 SMC(Strategic Materials Conference)가 ‘혁신을 앞당기는 반도체 재료(Materials Accelerating Innovation)’라는 대주제를 가지고 5월 17일(목) 서울 코엑스에서 열렸다.

SEMI가 주최한 이번 컨퍼런스는 노광, 세정, 패키징 등 반도체 주요 공정에서 주목받는 재료 기술의 소개와 함께 향후 도전과제를 논의하는 자리가 됐다. ▲EUV와 3D낸드 ▲팬아웃 패키징 재료 ▲미세공정에서의 세정기술 ▲주요 공정 재료 기술 ▲파티클 오염 관리 ▲반도체 제조사와 재료사의 상생방안과 같은 주제들을 심도 있게 참가자들의 열띤 호응 속에 진행됐다.

▲ASML EUV 장비

이번 컨퍼런스의 기조연설에는 스벤 반 엘쇼흐트(Sven Van Elshocht) IMEC R&D 매니저가 ‘미세공정에 따른 반도체 소재의 도전과제’를, 로데릭 반 에스(Roderik Van Es) ASML Director Service and Product Management EUV가 ‘EUV 리소그래피 HVM(High Volume Manufacturing)단계’를, 김병희 램리서치 상무는 ‘차세대 로직과 메모리 공정에서의 도전과제’를 각각 발표했다.

첫 번째 발표를 진행한 엘쇼흐트 매니저는 “지금 이 순간에도 소재 혁신은 끊이지 않고 진행되고 있다”며 다가올 미래에는 소재의 혁신이 필수불가결한 과제가 될 것이라고 그 중요성을 역설했다. 이를 해결하기 위해서는 어떠한 소재를 선택하고 어떻게 접근할지, 서로 다른 두 개 이상의 소재를 섞어 새로운 소재를 만든다면 어떻게 하는 것이 좋을지 고민이 필요하다고 말했다. 이와 함께 “혁신은 이어질 것이며, 3D 기술과 시스템 기술 공동 최적화(System-Technology Co-Optimization, STCO)가 미래 반도체 시장의 쌍두마차”가 될 것이라고 강조했다.

ASML의 로데릭 반 에스 디렉터는 EUV(극자외선)의 현재 생산능력과 함께 산업화 진행 사항에 대해 발표했다. “반도체 미세공정을 실현시키는 EUV 리소그래피 기술의 발전은 현재 시간당 125개의 웨이퍼 생산능력을 달성했으며 EUV 장비의 신뢰성 또한 크게 늘어났다”며 “지난해 ASML에서 출하된 EUV 장비는 10대였지만 올해는 2배 이상 늘어날 것”이라고 말했다. 로데릭 반 에스 디렉터는 또한 “현재 중요한 것은 머신의 안정화다. 이를 위해 소자 소형화의 핵심 기술 개선에 주력하고, 올해 말에 상업화하도록 만전을 기할 것”이라며 말을 맺었다.

▲EUV 장비에 대해 발표하는 ASML의 로데릭 반 에스 디렉터

마지막 기조연설을 한 김병희 램리서치코리아 상무는 차세대 메모리 로직 기술을 발표하며 “3D 낸드 스켈링은 ONON 방식과 OPOP 방식 중 하나의 스택을 선택하는 것을 비롯해 3D 낸드 스켈링의 처리능력을 더욱 높여 생산성을 향상하는데 고민하고 있다”며 “몰드 스텝, 하이 스팩트레이션 패터닝, 워드라인에 대한 도전을 진행 중”이라고 밝혔다. 이와 함께 김병희 상무는 “텅스텐을 대체할 차세대 소재로 몰리브덴에 대한 연구가 심도 있게 진행 중”이며, “더 나은 저저항 소재를 찾는데 노력할 계획”이라고 역설했다.

한편 이번 반도체전자재료 기술 컨퍼런스는 많은 업계 관계자가 참여한 가운데 진행됐으며, 발표 내용에 대한 호기심이 이어지는 가운데 각각의 발표자가 발표를 마친 다음에는 질의응답이 봇물을 이뤄 차세대 성장 동력에 대한 깊은 관심과 성장 가능성을 확실하게 느낄 수 있었다.

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